 低功耗： 0.4μA 典型值(VDD=3.0V，Ta=25℃）。  

 工作电压：1.5V～5.5V；计时电压：1.0V～5.5V ；工作温度：-40℃～+105℃。

 标准IIC总线接口方式,最高速度400KHz(4.5V～5.5V)。

 年、月、日、星期、时、分、秒的BCD码输入/输出,并可通过独立的地址访问各时间寄存器。

 闰年自动调整功能(从2000年～2099年)；世纪位标识。

 24小时制式

 内置星期、时、分、秒共4字节的报警数据寄存器，每个报警寄存器的最高位为报警允许位。

 三种中断均可选择从INT脚输出,并具有两个中断标志位.

 内置晶振，常温高精度：25℃<±5ppm(出厂精度）。

 内置星期、日、时、分共4字节的报警数据寄存器，每个报警寄存器的最高位为报警允许位；

 报警中断功能时间范围最长设至1个月,星期、日、时、分报警共有16种组合方式。

 周期性频率中断输出脚FREQ:32768Hz、1024Hz、64Hz、1Hz共四种方波脉冲。

 自动重置的8位倒计时定时器,可选的4种时钟源（4096Hz、64Hz、1Hz、1/60Hz）。

 内置IIC总线0.5秒自动复位功能(从Start命令开始计时),保证时钟数据的有效性及可靠性,避免IIC总线挂死问题。

 内置时钟数据写保护功能, 避免对数据的误写操作，可更好地保护时钟数据。

 内置上电复位电路，具上电和停振标志位OSF。　　　　

 内置电源稳压,内部计时电压可低至1.0V。

 芯片管脚抗静电(ESD)>4KV

 芯片在兴威帆的评估板上可通过4KV的群脉冲(EFT)干扰

 CMOS 工艺

 封装形式:SOP8（150mil）   

原理框图：